共聚焦拉曼光譜儀3大優(yōu)勢(shì)
點(diǎn)擊次數(shù)：3585 更新時(shí)間：2018-01-10
拉曼光譜技術(shù)以其信息豐富、制樣簡(jiǎn)單、水的干擾小等*優(yōu)點(diǎn)，在化學(xué)、材料、物理、高分子、生物、醫(yī)藥、地質(zhì)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。共聚焦拉曼光譜儀是其中的一種，以其*的優(yōu)勢(shì)占據(jù)著廣闊的市場(chǎng)。
共聚焦拉曼光譜儀3大優(yōu)勢(shì)：
1、*的靈活性：
共聚焦拉曼光譜儀另一個(gè)*的優(yōu)勢(shì)就是可在系統(tǒng)中配備一個(gè)附加出口。用雙出口選項(xiàng)，可多配備一個(gè)紅外InGaAs陣列，ICCD，PMT或其它專(zhuān)業(yè)單道探測(cè)器。實(shí)際上，該系統(tǒng)有很寬的激光光源適應(yīng)能力和多探測(cè)器選項(xiàng)，能提供很寬的光譜范圍或進(jìn)行時(shí)域分析。
近紅外探測(cè)器對(duì)于在830納米或1064納米激發(fā)下的發(fā)光測(cè)量（例如對(duì)于半導(dǎo)體材料）和拉曼分析等特別有用。這兩種應(yīng)用下的光譜都在標(biāo)準(zhǔn)硅器件CCD探測(cè)器的測(cè)量范圍之外，例如，一些重要的III－V族半導(dǎo)體材料的重要信息在1100納米和1300納米區(qū)域，不在硅器件的敏感探測(cè)區(qū)。用其它的探測(cè)器（如InGaAs或Ge探測(cè)器），就很容易實(shí)現(xiàn)這個(gè)區(qū)域的測(cè)量.
2、高分辨：
共聚焦拉曼光譜儀具有800毫米的光譜儀焦長(zhǎng)，其所能達(dá)到的分辨率約為標(biāo)準(zhǔn)300毫米焦長(zhǎng)拉曼譜儀的3倍，比250毫米焦長(zhǎng)的老式設(shè)計(jì)拉曼譜儀更高。從下圖可以清楚地看到，用高分辨率系統(tǒng)采集的譜圖有更多的數(shù)據(jù)點(diǎn)，在進(jìn)行微小的拉曼峰移分析時(shí)，比短焦長(zhǎng)系統(tǒng)準(zhǔn)確的多。同時(shí)用HR系統(tǒng)能更準(zhǔn)確地給出拉曼譜峰的峰形這一重要的參數(shù)，峰位和峰形都能表征重要的樣品變化。
3、應(yīng)力引起的拉曼位移：
共聚焦拉曼光譜儀是一種理想的應(yīng)用測(cè)量工具。左圖中固體相硅應(yīng)力拉曼分析表明可識(shí)別出0.3cm-1的拉曼峰移。半導(dǎo)體器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有類(lèi)似的小峰位和峰形改變，非常適合用共聚焦拉曼光譜儀進(jìn)行測(cè)量。
